搭载罗姆SiCMOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产

2025年9月9日——全球知名半导体制造商罗姆与德国大型汽车零部件供应商舍弗勒集团(总部位于德国赫尔佐根奥拉赫，以下简称“舍弗勒”)宣布，作为战略合作伙伴关系的重要里程碑，舍弗勒开始量产搭载罗姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高电压逆变砖。这是面向中国大型汽车制造商设计的产品。

作为电驱动总成系统的核心部件，此次采用罗姆SiC MOSFET的逆变砖，对电动汽车的效率和性能有十分显著的作用。这款高性能逆变砖突破电动汽车牵引逆变器领域通常支持的800V电压，可支持更高的电池电压，并实现了650Arms的峰值电流输出。凭借罗姆的SiC技术，该产品不仅实现了高效率和高输出功率，还实现了产品小型化，将作为推动下一代电动汽车普及的重要产品投入市场。

罗姆与舍弗勒自2020年起建立战略合作伙伴关系。2023年，双方签署碳化硅功率器件相关的长期供应协议，增强对提升电动汽车性能至关重要的SiC芯片的供应体系。此次新产品的量产启动，表明这种良好合作关系正在稳步取得积极成效。

逆变砖

SiC MOS晶圆

舍弗勒集团 电驱动事业部CEO 陶斯乐表示:“在电动出行解决方案领域，我们通过采用可扩展与模块化的策略，成功开发出适用于从单独部件到高集成度电驱桥的逆变砖。我们以通用平台开发为基石，成功在短短一年内针对中国市场日益普及的X in 1架构开发出优质产品并投入量产。”

罗姆董事兼常务执行官 伊野 和英表示:“舍弗勒逆变砖能够采用罗姆第4代SiC MOSFET并实现量产，我们深感荣幸。罗姆的SiC技术可显著提升电动汽车的效率和性能，通过与舍弗勒的合作，将进一步推动汽车产业的创新与可持续发展。”

舍弗勒集团 电驱动事业部CEO 陶斯乐(左)与罗姆董事兼常务执行官 伊野和英(右)